原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源，化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。
 

　　原子沉積系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：
 

　　1.  可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)準(zhǔn)確控制薄膜的厚度，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；
 

　　2.  由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜；
 

　　3.  可生成較好的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜，作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層；
 

　　4.  可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
 

　　5.  薄膜生長可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下)；
 

　　6.  可廣泛適用于各種形狀的襯底；
 

　　7.  原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件，生長的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢壘。
 

　　原子沉積系統(tǒng)的技術(shù)參數(shù)：
 

　　基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；
 

　　加熱溫度：25℃—400℃(可選配更高)；
 

　　均勻性： < 2%；
 

　　前驅(qū)體數(shù)：4路(可選配6路)；
 

　　兼容性： 可兼容100級超凈室。